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近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW）MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第十一章 MOS模拟集成电路。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第六章 MOS反相器
电子科技大学成都学院 集成电路原理 课件 第六章 MOS反相器
2016/5/6
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第六章 MOS反相器。
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（三）
西安理工大学 半导体集成电路 课件 第4章 MOS晶体管及反相器
2014/8/26
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（三）。
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（二）
西安理工大学 半导体集成电路 课件 第4章 MOS晶体管及反相器
2014/8/26
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（二）。
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（一）
西安理工大学 半导体集成电路 课件 第4章 MOS晶体管及反相器
2014/8/26
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（一）。
西安理工大学半导体集成电路课件第9章 MOS逻辑功能部件。
国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
晶体管 国产MOS场效应
2008/12/11
阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。