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搜索结果: 1-15 共查到电子技术 CMOS相关记录70条 . 查询时间(0.112 秒)
深圳市元视芯智能科技有限公司(以下简称“元视芯”)于2024年9月20日在其深圳总部隆重举行AEC-Q100车规级认证证书颁证仪式,标志着元视芯在汽车电子领域的又一重大突破。此次授证仪式,不仅是对元视芯技术实力的权威认可,更是其车规级CMOS图像传感器(CIS)产品全面迈向车载市场的重要一步。
近日,南方科技大学深港微电子学院陈凯教授课题组在用于量子计算数据测量与控制的低温CMOS器件的阈值电压建模领域取得重要进展,相关成果以论文“Characterizations and Framework Modeling of Bulk MOSFET Threshold Voltage Based on a Physical Charge-Based Model Down to 4 K”[1]被国...
中国科学院微电子研究所专利:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究,并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构,有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留,减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列,降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片,发表相关方向学...
南昌大学电子技术基础课件第三章 CMOS门电路。
近日,中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展,完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作,包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估,较原有光源在各项关键指标上有显著提升,保证了先进节点中光刻工艺的稳定性,确保后续研发进程的顺利进行。
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit.
为了表征CMOS反相器的可靠性,从其负载电流和输出电压的特性入手,详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型,并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知,负载电流功率谱密度随频率的增加而减小,遵循1/f噪声的变化规律;得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系,验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性,证明了噪声幅值越大,器件...
2014年12月2—4日,中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持,共分六个主题研修内容,分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
On-chip True Random Number Generator (TRNG) forms an integral part of a number of cryptographic systems in multi-core processors, communication networks and RFID. TRNG provides random keys, device id ...
As increasingly important modules in modern embedded systems, cryptographic circuits rely on provable theorems to guarantee hardware security and information privacy. However, perfect security on sili...
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 mVpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 fF时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 dBΩ,-3 dB带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 ...
基于CMOS体驱动,提出低电压放大器抗电磁干扰结构.电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导,通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性,采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性,同时,对称拓扑结构保证了电路的高度对称性,实现了对称的转换速率.该设计采用电源电压为1V的0.35μm标准CMOS工艺实现.对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同传统体驱动放大器相比较.实验...

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