搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 CMOS”相关记录70条 . 查询时间(0.112 秒)
中国科学院微电子研究所专利:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件(大连理工制作版本)第3章第2节 CMOS门电路
山东大学信息科学与工程学院 数学电子技术 课件(大连理工制作版本) 第3章 第2节 CMOS门电路
2017/4/25
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件(大连理工制作版本)第3章第2节 CMOS门电路。
14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术研发取得进展(图)
14纳米 CMOS量产工艺 光源掩模 优化技术
2016/11/8
近日,中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展,完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作,包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估,较原有光源在各项关键指标上有显著提升,保证了先进节点中光刻工艺的稳定性,确保后续研发进程的顺利进行。
西南交通大学信息科学与技术学院数字电子技术课件第四章 CMOS器件。
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit
CMOS Phase Modulation I/O Interface Circuit
2015/8/14
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit.
CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究
COMS反相器 低频噪声 可靠性 缺陷
2016/12/24
为了表征CMOS反相器的可靠性,从其负载电流和输出电压的特性入手,详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型,并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知,负载电流功率谱密度随频率的增加而减小,遵循1/f噪声的变化规律;得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系,验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性,证明了噪声幅值越大,器件...
2014年12月2—4日,中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持,共分六个主题研修内容,分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
On-Chip True Random Number Generation in Nanometer CMOS
True Random Number Generation Process Variation Circuit calibration
2014/12/8
On-chip True Random Number Generator (TRNG) forms an integral part of a number of cryptographic systems in multi-core processors, communication networks and RFID. TRNG provides random keys, device id ...
Cryptographic Circuit Design In Nanometer CMOS Technologies
Applied sciences Cryptographic circuit design Nanometer CMOS Embedded system security Hardware trojan Low-power design Physical unclonable function Process variation Side-channel analysis
2014/11/7
As increasingly important modules in modern embedded systems, cryptographic circuits rely on provable theorems to guarantee hardware security and information privacy. However, perfect security on sili...
应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计
光接收机 CMOS前置放大电路 跨阻放大器 限幅放大器
2016/8/10
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 mVpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 fF时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 dBΩ,-3 dB带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 ...