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最近，中国科学院上海硅酸盐研究所李国荣研究员科研团队在ZnO导电陶瓷研究中取得重要进展。该团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1.9×105 Sm-1；同时缺陷设计也降低了材料的晶格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性能，其在980K的功率因子达到了8.2×10-4 W m-1 K-2，较无缺陷设计的ZnO陶瓷提高了5...
ZnO环形压敏电阻器消噪特性研究及其敏感电压的控制方法
压敏电阻器 消噪 缓变型
2009/10/21
ZnO环形压敏电阻器广泛应用于消除录音机的噪声. 理论分析表明,在消除大能量噪声方面,突变型压敏电阻器优于缓变型;在消除小能量噪声时,缓变型效果更佳. 本文给出了压敏电压的具体控制方法,对普遍存在的焊后(压)降增大问题提出了解决方案. 实验结果表明,理论分析正确,控制方法简便、有效.
通过原位聚合方法制得了纳米粒子分散均匀的聚酰亚胺/纳米ZnO杂化膜。在实验的基础上研究了不同掺杂含量和老化时间对杂化膜的介电特性的影响，同时通过热失重分析仪研究其热稳定性能以及用扫描电镜分析纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态。结果表明，随着ZnO含量的提高，耐电晕性能得到了较大幅度的提高。当纳米ZnO含量为7%时介电常数为4.5左右，介电损耗在0.02以下，且随频率变化不大，击穿场强虽有所下降但仍...