搜索结果: 1-13 共查到“材料科学 CDS”相关记录13条 . 查询时间(0.014 秒)
中国科学院化学研究所专利：一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法
以水热法在氟掺杂的氧化锡透明导电玻璃(FTO)上制备的TiO2纳米棒阵列为衬底, 通过连续化学水浴沉积(S-CBD)法将CdS量子点 (QDs)沉积在TiO2纳米棒上, 形成CdS/TiO2阵列复合材料。分别利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、 场发射扫描电子显微镜(FESEM)、 X射线衍射(XRD)和紫外可见光谱(UV-vis)等对样品的形貌、 晶型以及光吸收性能进行了表征。结果表明, T...
包覆多层聚电解质/树状大分子的聚合物微球表面CdS纳米粒的形成
聚酰胺-胺 核壳式复合微球 硫化镉
2009/11/13
将聚酰胺-胺(PAMAM)树形大分子、聚对苯乙烯磺酸钠(PSS)和聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)在三聚氰胺甲醛(MF)微球上进行静电自组装，制得聚电解质壳层的核壳式微球. 通过反应沉积吸附方法生成具有稳定荧光性能的CdS/聚电解质核壳式复合微球. 用透射电镜表征复合微球形貌，用反射紫外和荧光表征了CdS/聚电解质核壳式复合微球的光学特性.
CdS量子点的制备和光学性质
无机非金属材料 硫化镉 量子点
2009/6/4
以醋酸镉、硫粉为原料制备CdS量子点, 研究了硫的加入量对其光学性质的影响. 结果表明: 合成的CdS量子点粒径均匀, 分散性较好, 随着硫加入量的增加CdS量子点的粒径增大; 反应中过量的硫能有效地填补硫空位, 从而抑制表面态发光. 同时, ODA的修饰也能有效地钝化表面态, 减小表面态的发光强度.
Fabrication and characterization of photocatalytic activity of Fe3O4-doped CdS hollow spheres
Magnetic materials Nanostructures Semiconductors
2015/3/30
A new hollow sphere photocatalyst has been fabricated by combining Fe3O4 with nanoparticulate CdS. Their microstructures and photocatalytic behavior were examined by X-ray powder diffraction,transmiss...
Ge-Ga-S-CdS玻璃的电致二次谐波发生特性
Ge-Ga-S-CdS玻璃 电致二次谐波 特性
2009/3/12
用熔融-急冷法制备了Ge14Ga3S37(CdS)3硫系玻璃样品,使用Maker条纹法观察了电场-温度场极化样品中的二次谐波发生(SHG)现象,研究了极化条件对SHG强度的影响、该效应产生的机理以及SHG现象室温下的稳定性.结果表明,极化样品中存在明显的二次谐波发生现象,入射角在±(40～50)°左右时,SHG的相对强度出现最大值;SHG的强度随着极化电压的增大和极化时间的延长而逐渐增强并渐趋饱和...
PAMAM树形分子与Cd2＋的配位作用研究及CdS/PAMAM纳米复合材料的制备与表征
纳米
2007/12/20
摘要 CdS半导体纳米簇具有独特的光、电性能, 如何制备均匀分散的、能够稳定存在的CdS纳米簇是目前的研究热点之一. 以聚酰胺-胺(PAMAM)树形分子为模板, 原位合成了CdS纳米簇. 首先用UV-Vis分光光度法研究了与树形分子的配位机理, 得出G4.5和G5.0的平均饱和配位数分别为16和34, 并发现在G4.5PAMAM树形分子中Cd2＋主要与最外层叔胺基配位, 在G5.0PAMAM树形分...
纳米CdS材料的研究与应用进展
纳米
2007/12/18
摘要 综述了近年来纳米CdS的制备技术及其材料的研究与应用进展，认为纳米CdS高分子材料具有含量可控、稳定性好、表面可修饰、光学性能好等优点，在光、电、传感、催化等领域有良好的发展前景，有待于深入研究。
多臂 CdS纳米晶体的水热控制合成
纳米
2007/12/13
摘要 以络合剂为辅助剂, 用水热方法合成了多臂CdS纳米晶体, 用TEM、ED、SEM、RAMAN、PL等技术对产物进行了表征. 研究了不同络合剂对水热合成多臂CdS纳米晶体的影响, 以乙二胺、甲胺、乙胺为辅助剂水热合成所得三臂CdS的产率分别为2%、35%、85%, 而以氨为辅助剂时, 仅能得到颗粒状CdS纳米晶体. 此外, 对水热合成多臂CdS纳米晶体的形成机制作了初步探讨.
快速升温法制备CdS纳米带的生长机理研究
纳米
2007/12/12
摘要 在无任何催化剂的条件下, 采用快速升温法在单晶硅衬底上制备了高质量的、形貌均匀的CdS纳米带. X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FESEM)分析显示, 纳米带属六方单晶结构, 生长方向为[001]. 讨论了纳米带形成的机理, 认为CdS纳米带状六方结构的形成, 主要是由于生长速度的各向异性及在沉积区具有较低的过饱和度和较高的沉积温度等因素导致.