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The transverse momentum spectra, elliptic flow and interferometry radii for Pb-Pb collisions at the LHC are calculated in relativistic viscous hydrodynamics. For Glauber model initial conditions, we f...
SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
硅锗异质结双极晶体管 低噪声放大器 单片集成 噪声系数
2011/5/17
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35 μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有...
低噪声混频管及集成(国内领先)：开展了GaAs(InGaAs)HEMT器件及其混合集成的研究。器件方面着重亚微米栅长的微细加工技术、金属剥离及其辅助技术-图像反转光刻技术的研究等。混频电路的设计采用一小信号分析方法，即变换矩阵法分析了混频器的变频特性，利用器件的S参数及电路优化设计程序设计了匹配电路。测试结果表明：在测试频率18GHz附近(中频1.5GHz)，混频增益-0.5dB-+0.5dB，单...
高热稳定性多发射极功率SiGe HBT的研制
SiGe 异质结双极晶体管 功率
2009/1/30
成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe 异质结双极晶体管（HBT），用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明，在相同的工作条件下，与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比，非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT，在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流IC的增加，非均匀发射极条间距结构SiGe HB...
InP Waveguide-integrated pin-Photodiode Hybrid Packaged with an HBT-DEMUX-Chip for Receiver Modules of 80-100 Gb/s Data Rates
Waveguide-integrated pin-Photodiode Hybrid Packaged HBT-DEMUX-Chip
2015/7/31
A waveguide-integrated photodetector is hybrid packaged with an HBT-DEMUX into a receiver module for system experiments. The pin-DEMUX module has demonstrated an excellent RF behaviour at bit rates up...
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
语种
中文
撰写或编译
作者
邹德恕，陈建新
第一作者单位
刊物名称
半导体技术
页面
1996，2，42-44
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
SiGe/Si HBT的直流特性分析
2007/7/28
期刊信息
篇名
SiGe/Si HBT的直流特性分析
语种
中文
撰写或编译
作者
张时明
第一作者单位
刊物名称
北工大学报
页面
1995年第22卷第四期
出版日期
1995年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
This paper presents the design of a 16/17 dualmodulus prescaler with maximum operating frequency of 30 GHz. The differential emitter-coupled logic (ECL) is employed to achieve high operating frequenci...