搜索结果: 1-6 共查到“电子物理学 K-Ar”相关记录6条 . 查询时间(0.078 秒)
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中国科学院化学研究所高蕻课题组在Ar+ + N2体系的碰撞传能研究中取得重要进展(图)
高蕻 分子 电子 离子
2024/11/5
当两个分子发生碰撞,除了发生化学反应,另一个重要过程是能量传递,即分子动能和内能的相互转化过程。深入研究分子之间通过碰撞发生振动、转动能量传递、电子态淬灭或激发的机理,在等离子体诊断、高马赫发动机燃料主动冷却和燃烧过程、大气化学和星际化学等领域有重要应用。目前,人们利用交叉分子束结合先进的分子束操控和高分辨产物探测技术已经对中性分子之间的碰撞传能过程实现“态-态”分辨的研究。受制于低能离子束较大的...
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2017国际VR/AR技术与产业大会在嘉兴成功举办(图)
2017年 VR/AR技术与产业 大会
2017/6/22
2017年6月17日-18日,来自VR/AR领域的国内外知名专家学者,以及VR/AR研究机构、行业龙头企业、资本机构、政府有关部门等嘉宾齐聚浙江嘉兴,共同探讨VR/AR技术与产业发展。
150keV Ar离子辐照非晶态合金Fe39Ni39Mo2Si12B8、Fe40Ni40Si12B8、Fe39Ni39V2Si12B8、Fe77Cr2Si5B16和Fe78Si10B12,用扫描电子显微镜(SEM)观测研究了表面损伤形貌剂量变化的过程.低剂量时表面发泡形成.发泡随剂量增加受到溅射腐蚀,表面形成坑洞或针孔,针孔密度随剂量增加而增加,高剂量时,表面损伤以溅射为主,溅射对表面的腐蚀导致多...
Ar离子辐照单晶Si引起的顺磁缺陷研究
Ar离子辐照 缺陷 电子顺磁共振 等时退火
2009/6/12
采用电子顺磁共振研究了112MeVAr离子50K以下的低温辐照的单晶Si中缺陷产生和退火效应.结果表明:Ar离子辐照Si引起了中性四空位(Si-P3心).非晶化区域等缺陷的形成,Si-P3心分布在电子能损起主导作用的辐照区域,并在200℃的退火温度消失,伴随着四空位的退火,复杂的空位团,如Si-P1心.Si-A11心等出现,并保持到较高的温度.孤立的非晶区域的完全再结晶发生在350℃左右的退火温度...
The low-energy scattering of ortho positronium (Ps) by H, He, Ne, and Ar atoms has been investigated in the coupled-channel framework by using a recently proposed timereversal-
symmetric nonlocal ele...