搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 ZnO”相关记录22条 . 查询时间(0.125 秒)
ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，具有高达60 meV的激子束缚能，远高于室温热离化能（26 meV），因此，在室温下激子可以在ZnO中稳定地存在，是实现室温或者更高温度下的紫外自发与受激辐射的理想材料，在获得低域值、高品质因子的紫外激光上体现出十分突出的本征物理优势。此外，非中心对称的纤锌矿结构ZnO微纳米材料还具备特殊的压电性能，当材料受到外加应力时，晶体内部的离子极化引起介质介电常数的...
ZnO/ZnFe2O4复合纳米粒子的制备及其特性研究
ZnO ZnFe2O4 纳米复合结构 光催化特性
2016/8/11
利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明, 退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和晶体质量, 主要由六角纤锌矿结构的ZnO和立方结构的ZnFe2O4构成。PL光谱显示, 退火后ZnO近带边的发光强度明显降低, 这是由于ZnO/ZnF...
溶胶-凝胶法ZnO薄膜的制备及性能表征
溶胶-凝胶法 ZnO薄膜 光学性能
2012/11/12
采用溶胶——凝胶法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜， X射线衍射(XRD)结果表明：晶粒尺寸随退火温度的升高而增大，与原子力显微镜(AFM)分析薄膜表面形貌的结果相符；UV\|Vis吸收谱线表明，在ZnO带边吸收的位置出现较强的吸收，并得到600℃退火处理的薄膜禁带宽度为3.23 eV；室温光致发光谱表明，所有薄膜均在386.5nm处出现一个紫外发射峰，当退火温度升高时，深能级发射受到抑制。
溶胶-凝胶法ZnO薄膜的制备及性能表征
溶胶-凝胶法 ZnO薄膜 光学性能
2012/11/12
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜, X射线衍射(XRD)结果表明: 晶粒尺寸随退火温度的升高而增大, 与原子力显微镜(AFM)分析薄膜表面形貌的结果相符; UV\|Vis吸收谱线表明, 在ZnO带边吸收的位置出现较强的吸收, 并得到600 ℃退火处理的薄膜禁带宽度为3.23 eV; 室温光致发光谱表明, 所有薄膜均在386.5 nm处出现一个紫外发射峰, 当退火温度升高时, 深能级发射受...
溶胶-凝胶法ZnO薄膜的制备及性能表征
溶胶-凝胶法 ZnO薄膜 光学性能
2012/11/13
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜, X射线衍射(XRD)结果表明: 晶粒尺寸随退火温度的升高而增大, 与原子力显微镜(AFM)分析薄膜表面形貌的结果相符; UV\|Vis吸收谱线表明, 在ZnO带边吸收的位置出现较强的吸收, 并得到600 ℃退火处理的薄膜禁带宽度为3.23 eV; 室温光致发光谱表明, 所有薄膜均在386.5 nm处出现一个紫外发射峰, 当退火温度升高时, 深能级发射受...
Characteristics of ZnO Layers Grown on GaN Template Under Argon Pressure by Pulsed Laser Deposition
ZnO Pulsed Laser Deposition Buffer layer Annealing
2009/6/1
We employed epi-GaN substrates for ZnO film growth, and studied the deposition and post-annealing effects. ZnO films were grown by pulsed laser deposition (PLD) method. The as-grown films were anneale...
Growth Control of ZnO Nanorods by Pulsed Laser Deposition Method and Their Surface Enhanced Raman Scattering Properties
ZnO Pulsed Laser Deposition Nanorod
2009/6/1
ZnO nanorod arrays have attracted considerable attention as a candidate for fabricating gas sensors, dye-sensitized solar cells, and light emitting diodes (LEDs) in the last few years. Controlling the...
Synthesis of Vertically-Aligned ZnO Nanowires by Nanoparticle- Assisted Pulsed Laser Deposition and Their Application to Photo-Devices
ZnO Nanowire Laser ablation
2009/6/1
Vertically aligned ZnO nanowires have been successfully synthesized on annealed c-cut sapphire substrates by a catalyst-free nanoparticle-assisted pulsed-laser deposition (NAPLD) in Ar and N2 backgrou...
K掺杂p型ZnO薄膜的制备及其表征
氧化锌 薄膜 掺杂
2009/2/1
以ⅠA族元素钾(K)作为掺杂剂，利用射频磁控溅射沉积技术，在单晶Si(111)衬底上成功生长了K:p-ZnO薄膜．采用Hall测试仪、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电谱等测试分析技术，对其结构和电学性能进行了研究．结果显示，该p-ZnO薄膜呈现良好的(002)单重择优生长特性，当衬底温度为500℃，氧分压为30％时表面粗糙度仅为89.05nm，其相应的空穴浓度为5.45×1017/cm3，迁移...
中国首个ZnO纳米棒场效应晶体管在我所研制成功（图）
纳米 晶体管
2011/11/4
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料（纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等）具有较常规体材料更为优越的性能，在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景，引起了国际学术界的极大关注。目前，国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。
我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功（图）
ZnO纳米材料 晶体管
2008/9/16
近日，中科院微电子所依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。
ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能，在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景，引起了国际学术界的极大关注。目前，国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。
中科院微电子所张海英研究员领导的课题组，使用...
用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜
MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温
2008/3/16
采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在100~400℃低温范围内，在GaAs (001)衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 室温PL, AFM, SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性. XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向，(002)峰的FWHM平均值为0.3. .当生长温度达到400℃时从SEM...
基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响
汽-液-固(V-L-S)机理 汽-固(V-S)机理 ZnO纳米线 ZnO薄膜
2012/4/14
采用热蒸发ZnO粉末法，以金膜为催化剂，在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1＃和2＃)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰，说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现，ZnO纳米线整齐排列在Si基片上，直径在100 nm左右，平均长度为4 mm。通过分析得出，两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相...