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2024年7月5日,中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD),其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TCAS-I和TCAS-II发表GaN MMIC功率放大器新成果(图)
方小虎 TCAS-I TCAS-II GaN MMIC 功率放大器 传输
2023/11/29
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件(日)
孙钱 电子器件 高性能离子
2023/7/18
氮化镓(GaN)电子器件具有更高耐压,更快的开关频率,更小导通电阻等诸多优异的特性,在功率电子器件领域有着广泛的应用前景:从低功率段的消费电子领域,到中功率段的汽车电子领域,以及高功率段的工业电子领域,目前650V级的GaN基横向功率器件(如HEMT)已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统,而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
氮化镓(GaN)材料被称为第三代半导体材料,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点,在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用,一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成,导致其缺陷多、发光效率低,器件研制难度大。
近日,中国科学院微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质,成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT,并通过远程等离子体预处理(RPP)技术,在EC - ET > 0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1,实现了低界面态密度,减小了器件的关态泄漏电流,保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比,MIS...
日前,东南大学电子科学与工程学院国家ASIC工程中心孙伟锋教授团队在氮化镓(GaN)功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。该研究成果为:“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Del...
近日,南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展,相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。