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基于宽禁带半导体的新型辐射探测器具有耐高温、抗辐照、低噪声的优势,在航空航天、聚变诊断、深地测井等应用场景中具有广阔的应用前景。但是半导体探测器信号微弱,需要与前置放大器等前端电子学电路紧密连接才能达到较好的测量效果,而传统硅(Si)半导体前置放大器难以耐受高温环境,亟需研究开发新型耐高温、低噪声的前置放大器。